0 0 0
  8. RGTV00TS65DGC11

Транзисторы IGBT THT RGTV00TS65DGC11

 
RGTV00TS65DGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670957
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
374.22 грн
4+
284.44 грн
10+
268.55 грн
90+
267.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
62нс(1627515)
Время выключения
247нс(1942544)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
138Вт(1740788)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
104нC(1744095)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT RGTV00TS65DGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670957
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
374.22 грн
4+
284.44 грн
10+
268.55 грн
90+
267.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
62нс
Время выключения
247нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
138Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
104нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g