0 0 0
  8. RJU003N03FRAT106

Транзисторы с каналом N SMD RJU003N03FRAT106

 
RJU003N03FRAT106
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600393
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
5.01 грн
100+
4.49 грн
235+
4.18 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575) SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
1,1Ом(1441389)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RJU003N03FRAT106
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600393
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
5.01 грн
100+
4.49 грн
235+
4.18 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g