0 0 0
  8. RK7002BMT116

Транзисторы с каналом N SMD RK7002BMT116

 
RK7002BMT116
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485274
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.31 грн
100+
2.41 грн
500+
2.04 грн
1340+
1.93 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Колличество: 3920 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,25А(1702094)
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом(1441594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
200/350мВт(1838828)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RK7002BMT116
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485274
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.31 грн
100+
2.41 грн
500+
2.04 грн
1340+
1.93 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Колличество: 3920 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,25А
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
200/350мВт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g