0 0 0
  8. RQ1E070RPTR

Транзисторы с каналом P SMD RQ1E070RPTR

 
RQ1E070RPTR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759130
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.24 грн
5+
38.41 грн
25+
34.47 грн
35+
29.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT8(1951149)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-7А(1492276)
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм(1479328)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
26нC(1479074)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-28А(1741683)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RQ1E070RPTR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759130
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.24 грн
5+
38.41 грн
25+
34.47 грн
35+
29.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-7А
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
26нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g