0 0 0
  8. RQ3C150BCTB

Транзисторы с каналом P SMD RQ3C150BCTB

 
RQ3C150BCTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759132
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.45 грн
5+
31.17 грн
25+
27.94 грн
42+
23.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-37А(1738143)
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм(1441294)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-60А(1811034)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RQ3C150BCTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759132
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.45 грн
5+
31.17 грн
25+
27.94 грн
42+
23.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-37А
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
60нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g