0 0 0
  8. RQ3E070BNTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E070BNTB

 
RQ3E070BNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733229
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.07 грн
10+
25.99 грн
91+
11.17 грн
249+
10.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
13Вт(1740776)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,9нC(1479156)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E070BNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733229
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.07 грн
10+
25.99 грн
91+
11.17 грн
249+
10.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
13Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g