0 0 0
  8. RQ3E080GNTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E080GNTB

 
RQ3E080GNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733320
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
37.48 грн
10+
28.39 грн
84+
11.96 грн
229+
11.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
18А(1479247)
Сопротивление в открытом состоянии
31,2мОм(1950911)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
14Вт(1507413)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,8нC(1712709)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E080GNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733320
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
37.48 грн
10+
28.39 грн
84+
11.96 грн
229+
11.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
18А
Сопротивление в открытом состоянии
31,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
14Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g