0 0 0
  8. RQ3E100BNTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E100BNTB

 
RQ3E100BNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733306
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.68 грн
25+
16.52 грн
77+
12.94 грн
211+
12.23 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
15,3мОм(1942362)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
15Вт(1449537)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E100BNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733306
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.68 грн
25+
16.52 грн
77+
12.94 грн
211+
12.23 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
15,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g