0 0 0
  8. RQ3E110AJTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E110AJTB

 
RQ3E110AJTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733322
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.00 грн
25+
18.90 грн
68+
14.77 грн
186+
13.98 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
16,5мОм(1479363)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
15Вт(1449537)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13,5нC(1611304)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
44А(1789214)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E110AJTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733322
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.00 грн
25+
18.90 грн
68+
14.77 грн
186+
13.98 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
16,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
44А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g