0 0 0
  8. RQ3E120ATTB

Транзисторы с каналом P SMD RQ3E120ATTB

 
RQ3E120ATTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759140
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
35.24 грн
25+
31.67 грн
38+
27.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-39А(1610055)
Сопротивление в открытом состоянии
11,3мОм(1609822)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
62нC(1479423)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-48А(1789203)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RQ3E120ATTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759140
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
35.24 грн
25+
31.67 грн
38+
27.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-39А
Сопротивление в открытом состоянии
11,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
62нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g