0 0 0
  8. RQ3E120GNTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E120GNTB

 
RQ3E120GNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733236
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
20.59 грн
62+
16.31 грн
171+
15.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2975 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
27А(1441591)
Сопротивление в открытом состоянии
13,8мОм(1479347)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
15Вт(1449537)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,052 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E120GNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733236
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
20.59 грн
62+
16.31 грн
171+
15.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2975 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
27А
Сопротивление в открытом состоянии
13,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,052 g