0 0 0
  8. RQ3E130BNTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E130BNTB

 
RQ3E130BNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733238
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
23.20 грн
25+
22.25 грн
59+
17.42 грн
160+
16.47 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
39А(1479333)
Сопротивление в открытом состоянии
9,4мОм(1479219)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
16Вт(1608400)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
52А(1789218)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E130BNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733238
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
23.20 грн
25+
22.25 грн
59+
17.42 грн
160+
16.47 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
39А
Сопротивление в открытом состоянии
9,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
16Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
52А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g