0 0 0
  8. RQ3E160ADTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E160ADTB

 
RQ3E160ADTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733195
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
52.41 грн
10+
43.04 грн
46+
21.84 грн
126+
20.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
64А(1789210)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E160ADTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733195
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
52.41 грн
10+
43.04 грн
46+
21.84 грн
126+
20.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
51нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
64А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g