0 0 0
  8. RQ3E180AJTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E180AJTB

 
RQ3E180AJTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733257
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.69 грн
10+
65.52 грн
25+
59.03 грн
38+
26.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2982 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
5,8мОм(1479460)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
39нC(1479127)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
72А(1789194)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,05 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E180AJTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733257
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.69 грн
10+
65.52 грн
25+
59.03 грн
38+
26.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2982 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
5,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
39нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
72А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,05 g