0 0 0
  8. RQ3E180GNTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3E180GNTB

 
RQ3E180GNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733253
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.26 грн
10+
36.53 грн
25+
32.88 грн
40+
25.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
39А(1479333)
Сопротивление в открытом состоянии
6,1мОм(1599493)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22,4нC(1912172)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
72А(1789194)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3E180GNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733253
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.26 грн
10+
36.53 грн
25+
32.88 грн
40+
25.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
39А
Сопротивление в открытом состоянии
6,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
72А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g