0 0 0
  8. RQ3L050GNTB

Транзисторы с каналом N SMD RQ3L050GNTB

 
RQ3L050GNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733136
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.01 грн
49+
20.82 грн
134+
19.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм(1801462)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
14,8Вт(1942377)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,3нC(1693778)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ3L050GNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733136
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.01 грн
49+
20.82 грн
134+
19.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
14,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g