0 0 0
  8. RQ6E035ATTCR

Транзисторы с каналом P SMD RQ6E035ATTCR

 
RQ6E035ATTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759118
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -12А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.09 грн
10+
21.03 грн
100+
12.03 грн
118+
8.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3,5А(1492400)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RQ6E035ATTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759118
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -12А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.09 грн
10+
21.03 грн
100+
12.03 грн
118+
8.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g