0 0 0
  8. RQ6E050ATTCR

Транзисторы с каналом P SMD RQ6E050ATTCR

 
RQ6E050ATTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759176
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.47 грн
25+
15.64 грн
92+
10.96 грн
253+
10.40 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-5А(1492225)
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм(1610034)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20,8нC(1942389)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-18А(1786524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RQ6E050ATTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759176
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.47 грн
25+
15.64 грн
92+
10.96 грн
253+
10.40 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-5А
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g