0 0 0
  8. RQ6E055BNTCR

Транзисторы с каналом N SMD RQ6E055BNTCR

 
RQ6E055BNTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733161
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,5А; Idm: 18А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
14.41 грн
100+
11.40 грн
101+
10.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
5,5А(1492307)
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,6нC(1712469)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
18А(1741667)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ6E055BNTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733161
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,5А; Idm: 18А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
14.41 грн
100+
11.40 грн
101+
10.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g