0 0 0
  8. RRH100P03GZETB

Транзисторы с каналом P SMD RRH100P03GZETB

 
RRH100P03GZETB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622782
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.89 грн
5+
58.74 грн
22+
46.27 грн
60+
43.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-10А(1479026)
Сопротивление в открытом состоянии
12,6мОм(1479443)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
68нC(1479515)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-40А(1810549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RRH100P03GZETB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622782
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.89 грн
5+
58.74 грн
22+
46.27 грн
60+
43.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-10А
Сопротивление в открытом состоянии
12,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
68нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g