0 0 0
  8. RRL035P03TR

Транзисторы с каналом P SMD RRL035P03TR

 
RRL035P03TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622467
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.10 грн
10+
26.32 грн
74+
13.26 грн
203+
12.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3,5А(1492400)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-14А(1741668)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RRL035P03TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622467
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.10 грн
10+
26.32 грн
74+
13.26 грн
203+
12.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-14А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g