0 0 0
  8. RRR030P03FRATL

Транзисторы с каналом P SMD RRR030P03FRATL

 
RRR030P03FRATL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622788
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.47 грн
25+
21.99 грн
59+
17.23 грн
161+
16.30 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT346(1744025)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
5,2нC(1634355)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RRR030P03FRATL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622788
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.47 грн
25+
21.99 грн
59+
17.23 грн
161+
16.30 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT346
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
5,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g