0 0 0
  8. RS1E150GNTB

Транзисторы с каналом N SMD RS1E150GNTB

 
RS1E150GNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733290
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; Idm: 60А; 22Вт; HSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.72 грн
5+
29.30 грн
25+
26.44 грн
50+
20.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSOP8(1635046)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
13,3мОм(1799527)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
22Вт(1520838)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RS1E150GNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733290
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; Idm: 60А; 22Вт; HSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.72 грн
5+
29.30 грн
25+
26.44 грн
50+
20.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSOP8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
13,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
22Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g