0 0 0
  8. RS1E280GNTB

Транзисторы с каналом N SMD RS1E280GNTB

 
RS1E280GNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733271
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 112А; 31Вт; HSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.59 грн
5+
48.30 грн
25+
41.25 грн
68+
38.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSOP8(1635046)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
3,8мОм(1479538)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
31Вт(1741805)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
112А(1812410)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RS1E280GNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733271
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 112А; 31Вт; HSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.59 грн
5+
48.30 грн
25+
41.25 грн
68+
38.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSOP8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
3,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
31Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
112А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g