0 0 0
  8. RS1G180MNTB

Транзисторы с каналом N SMD RS1G180MNTB

 
RS1G180MNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733280
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 57А; Idm: 72А; 30Вт; HSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.80 грн
5+
38.00 грн
25+
34.28 грн
35+
29.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSOP8(1635046)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
57А(1441310)
Сопротивление в открытом состоянии
9,2мОм(1479463)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
19,5нC(1712987)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
72А(1789194)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RS1G180MNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733280
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 57А; Idm: 72А; 30Вт; HSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.80 грн
5+
38.00 грн
25+
34.28 грн
35+
29.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSOP8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
57А
Сопротивление в открытом состоянии
9,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
19,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
72А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g