0 0 0
  8. RSJ250P10FRATL

Транзисторы с каналом P SMD RSJ250P10FRATL

 
RSJ250P10FRATL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 140895
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.73 грн
12+
85.04 грн
33+
80.36 грн
250+
78.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 342 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-25А(1492388)
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм(1479118)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-50А(1810523)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,605 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RSJ250P10FRATL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 140895
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.73 грн
12+
85.04 грн
33+
80.36 грн
250+
78.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 342 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-25А
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
60нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,605 g