0 0 0
  8. RSQ020N03HZGTR

Транзисторы с каналом N SMD RSQ020N03HZGTR

 
RSQ020N03HZGTR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733279
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.17 грн
25+
14.41 грн
100+
10.21 грн
273+
9.66 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2А(1441386)
Сопротивление в открытом состоянии
0,235Ом(1737213)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,2нC(1609813)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RSQ020N03HZGTR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733279
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.17 грн
25+
14.41 грн
100+
10.21 грн
273+
9.66 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,235Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g