0 0 0
  8. RSQ030N08HZGTR

Транзисторы с каналом N SMD RSQ030N08HZGTR

 
RSQ030N08HZGTR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733150
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.41 грн
10+
44.73 грн
43+
22.96 грн
118+
21.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
0,145Ом(1743039)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,5нC(1619508)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RSQ030N08HZGTR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733150
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.41 грн
10+
44.73 грн
43+
22.96 грн
118+
21.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,145Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g