0 0 0
  8. RSQ035N06HZGTR

Транзисторы с каналом N SMD RSQ035N06HZGTR

 
RSQ035N06HZGTR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733169
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.31 грн
25+
22.96 грн
57+
17.97 грн
155+
17.02 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
3,5А(1441257)
Сопротивление в открытом состоянии
87мОм(1708313)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,5нC(1619508)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
14А(1709893)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RSQ035N06HZGTR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733169
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.31 грн
25+
22.96 грн
57+
17.97 грн
155+
17.02 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
87мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
14А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g