0 0 0
  8. RSR025N03HZGTL

Транзисторы с каналом N SMD RSR025N03HZGTL

 
RSR025N03HZGTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733139
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
15.12 грн
95+
10.69 грн
261+
10.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT3(1951159)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,5А(1441399)
Сопротивление в открытом состоянии
0,118Ом(1790183)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,9нC(1479119)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RSR025N03HZGTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733139
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
15.12 грн
95+
10.69 грн
261+
10.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,118Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g