0 0 0
  8. RSS100N03HZGTB

Транзисторы с каналом N SMD RSS100N03HZGTB

 
RSS100N03HZGTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733276
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 40А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.59 грн
5+
44.50 грн
25+
39.27 грн
27+
37.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
18,9мОм(1479216)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14нC(1479029)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RSS100N03HZGTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733276
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 40А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.59 грн
5+
44.50 грн
25+
39.27 грн
27+
37.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
18,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g