0 0 0
  8. RTQ025P02FRATR

Транзисторы с каналом P SMD RTQ025P02FRATR

 
RTQ025P02FRATR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759149
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.49 грн
25+
17.55 грн
73+
13.77 грн
199+
13.07 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2,5А(1492293)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,4нC(1634340)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-10А(1788019)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RTQ025P02FRATR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759149
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.49 грн
25+
17.55 грн
73+
13.77 грн
199+
13.07 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g