0 0 0
  8. RU1C001UNTCL

Транзисторы с каналом N SMD RU1C001UNTCL

 
RU1C001UNTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485275
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
2.75 грн
100+
2.26 грн
500+
1.99 грн
562+
1.74 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323F(1838865)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,1А(1645012)
Сопротивление в открытом состоянии
5,6Ом(1699008)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,4А(1838841)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RU1C001UNTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485275
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
2.75 грн
100+
2.26 грн
500+
1.99 грн
562+
1.74 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323F
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,1А
Сопротивление в открытом состоянии
5,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g