0 0 0
  8. RU1C001ZPTL

Транзисторы с каналом P SMD RU1C001ZPTL

 
RU1C001ZPTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 492577
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
3.34 грн
100+
3.00 грн
391+
2.51 грн
1075+
2.37 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  1
Колличество: 1859 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323F(1838865)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,1А(1702115)
Сопротивление в открытом состоянии
6,8Ом(1707508)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,4А(1709890)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RU1C001ZPTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 492577
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
3.34 грн
100+
3.00 грн
391+
2.51 грн
1075+
2.37 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  1
Колличество: 1859 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323F
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,1А
Сопротивление в открытом состоянии
6,8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g