0 0 0
  8. RU1C002ZPTCL

Транзисторы с каналом P SMD RU1C002ZPTCL

 
RU1C002ZPTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759133
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.69 грн
50+
4.22 грн
250+
3.74 грн
310+
3.30 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323F(1838865)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-200мА(1536866)
Сопротивление в открытом состоянии
9,6Ом(1745487)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,4нC(1632948)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А(1709889)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RU1C002ZPTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759133
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.69 грн
50+
4.22 грн
250+
3.74 грн
310+
3.30 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323F
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-200мА
Сопротивление в открытом состоянии
9,6Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g