0 0 0
  8. RU1E002SPTCL

Транзисторы с каналом P SMD RU1E002SPTCL

 
RU1E002SPTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485291
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.16 грн
50+
4.49 грн
250+
3.96 грн
266+
3.75 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323F(1838865)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-0,25А(1643355)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,5А(1709894)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RU1E002SPTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485291
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.16 грн
50+
4.49 грн
250+
3.96 грн
266+
3.75 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323F
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-0,25А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g