0 0 0
  8. RV2C010UNT2L

Транзисторы с каналом N SMD RV2C010UNT2L

 
RV2C010UNT2L
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733294
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.41 грн
25+
9.86 грн
100+
8.76 грн
135+
7.65 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1006-3(1789163)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
1,05Ом(1441606)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2А(1709875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RV2C010UNT2L
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733294
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.41 грн
25+
9.86 грн
100+
8.76 грн
135+
7.65 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1006-3
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
1,05Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g