0 0 0
  8. RV2C014BCT2CL

Транзисторы с каналом P SMD RV2C014BCT2CL

 
RV2C014BCT2CL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759146
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.55 грн
10+
21.41 грн
100+
12.44 грн
130+
7.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1006-3(1789163)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,4А(1811148)
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом(1492263)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,6Вт(1507580)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А(1801471)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RV2C014BCT2CL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759146
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.55 грн
10+
21.41 грн
100+
12.44 грн
130+
7.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1006-3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g