0 0 0
  8. RV8L002SNHZGG2CR

Транзисторы с каналом N SMD RV8L002SNHZGG2CR

 
RV8L002SNHZGG2CR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733268
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
15.92 грн
90+
11.24 грн
247+
10.61 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1010-3W(1951161)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,25А(1702094)
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом(1536801)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RV8L002SNHZGG2CR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733268
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
15.92 грн
90+
11.24 грн
247+
10.61 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1010-3W
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,25А
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g