0 0 0
  8. RXH125N03TB1

Транзисторы с каналом N SMD RXH125N03TB1

 
RXH125N03TB1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733185
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.59 грн
5+
39.75 грн
25+
35.79 грн
34+
30.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12,5А(1441293)
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм(1441294)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12,7нC(1479012)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RXH125N03TB1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733185
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.59 грн
5+
39.75 грн
25+
35.79 грн
34+
30.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12,5А
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g