0 0 0
  8. RYC002N05T316

Транзисторы с каналом N SMD RYC002N05T316

 
RYC002N05T316
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733264
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.73 грн
50+
4.39 грн
250+
3.89 грн
300+
3.48 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SST3(1951157)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
9Ом(1441411)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RYC002N05T316
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733264
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.73 грн
50+
4.39 грн
250+
3.89 грн
300+
3.48 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SST3
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g