0 0 0
  8. RZM001P02T2L

Транзисторы с каналом P SMD RZM001P02T2L

 
RZM001P02T2L
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622509
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.06 грн
100+
3.34 грн
380+
2.60 грн
1040+
2.46 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 492 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT723(1636473)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-100мА(1536862)
Сопротивление в открытом состоянии
3,8Ом(1441366)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,4А(1709890)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,006 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RZM001P02T2L
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622509
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.06 грн
100+
3.34 грн
380+
2.60 грн
1040+
2.46 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 492 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT723
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-100мА
Сопротивление в открытом состоянии
3,8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,006 g