0 0 0
  8. SCT2160KEGC11

Транзисторы с каналом N THT SCT2160KEGC11

 
SCT2160KEGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741270
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; Idm: 55А; 165Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 028.66 грн
3+
973.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
22А(1441302)
Сопротивление в открытом состоянии
208мОм(1950922)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
165Вт(1740783)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
62нC(1479423)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-6...22В(1981147)
Ток стока в импульсном режиме
55А(1792090)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCT2160KEGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741270
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; Idm: 55А; 165Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 028.66 грн
3+
973.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
22А
Сопротивление в открытом состоянии
208мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
165Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
62нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-6...22В
Ток стока в импульсном режиме
55А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g