0 0 0
  8. SCT2280KEGC11

Транзисторы с каналом N THT SCT2280KEGC11

 
SCT2280KEGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741313
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 35А; 108Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
938.54 грн
2+
651.72 грн
3+
650.92 грн
5+
615.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
14А(1441298)
Сопротивление в открытом состоянии
364мОм(1950892)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
108Вт(1520843)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-6...22В(1981147)
Ток стока в импульсном режиме
35А(1789211)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCT2280KEGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741313
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 35А; 108Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
938.54 грн
2+
651.72 грн
3+
650.92 грн
5+
615.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
14А
Сопротивление в открытом состоянии
364мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
108Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
36нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-6...22В
Ток стока в импульсном режиме
35А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g