0 0 0
  7. SH8J62TB1

Транзисторы многоканальные SH8J62TB1

 
SH8J62TB1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739978
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
37.79 грн
25+
33.50 грн
32+
32.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
84мОм(1625134)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-18А(1786524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8J62TB1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739978
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
37.79 грн
25+
33.50 грн
32+
32.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
84мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g