0 0 0
  7. SH8K25GZ0TB

Транзисторы многоканальные SH8K25GZ0TB

 
SH8K25GZ0TB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739920
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,2А; Idm: 8А; 3Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
25.18 грн
25+
22.47 грн
52+
18.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
5,2А(1441595)
Сопротивление в открытом состоянии
112мОм(1884164)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
3Вт(1487308)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,7нC(1636487)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8K25GZ0TB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739920
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,2А; Idm: 8А; 3Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
25.18 грн
25+
22.47 грн
52+
18.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
5,2А
Сопротивление в открытом состоянии
112мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g