0 0 0
  7. SH8K26GZ0TB

Транзисторы многоканальные SH8K26GZ0TB

 
SH8K26GZ0TB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739996
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.18 грн
46+
21.68 грн
125+
20.49 грн
10000+
19.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2,9нC(1479119)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8K26GZ0TB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739996
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.18 грн
46+
21.68 грн
125+
20.49 грн
10000+
19.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
2,9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g