0 0 0
  7. SH8K41GZETB

Транзисторы многоканальные SH8K41GZETB

 
SH8K41GZETB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740000
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.97 грн
5+
42.25 грн
25+
37.33 грн
28+
35.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
3,4А(1479117)
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
13,6А(1888045)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8K41GZETB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740000
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.97 грн
5+
42.25 грн
25+
37.33 грн
28+
35.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
3,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
13,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g