0 0 0
  7. SH8M41GZETB

Транзисторы многоканальные SH8M41GZETB

 
SH8M41GZETB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739969
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.37 грн
5+
41.92 грн
25+
36.97 грн
29+
35.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
80/-80В(1888072)
Ток стока
3,4/-2,6А(1950937)
Сопротивление в открытом состоянии
160/310мОм(1950939)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,6/8,2нC(1950940)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10,4...13,6А(1950938)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8M41GZETB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739969
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.37 грн
5+
41.92 грн
25+
36.97 грн
29+
35.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
80/-80В
Ток стока
3,4/-2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
160/310мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,6/8,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10,4...13,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g