0 0 0
  7. SH8M51GZETB

Транзисторы многоканальные SH8M51GZETB

 
SH8M51GZETB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739923
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 3/-2,5А; Idm: 10÷12А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
46.22 грн
25+
40.72 грн
26+
38.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
100/-100В(1596093)
Ток стока
3/-2,5А(1950941)
Сопротивление в открытом состоянии
190/340мОм(1950943)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,5/12,5нC(1950944)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10...12А(1950942)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8M51GZETB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739923
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 3/-2,5А; Idm: 10÷12А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
46.22 грн
25+
40.72 грн
26+
38.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
100/-100В
Ток стока
3/-2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
190/340мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,5/12,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10...12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g